구조 강성과 변형
자중, 진공, 체결력과 운전 하중에 의한 장비 변형과 상대 위치 변화를 검토합니다.
ANALYSIS SCOPE
무엇을 검토하는가
온도 균일도
Heater와 냉각 조건에 따른 Chuck·Stage의 온도 분포와 공정 영역의 균일도를 확인합니다.
열변형과 정렬 오차
구조와 열 결과를 결합해 Wafer 평탄도, 위치 오차와 조립부의 열응력을 평가합니다.
PROCESS
반도체 장비 CAE 워크플로
반도체 장비는 강성뿐 아니라 온도 균일도와 미세한 열변형이 공정 정밀도에 직접 영향을 줍니다. UGPIA는 Chamber, Chuck, Heater, Wafer Stage의 구조·열 조건과 결과를 공통 Analysis Model에서 관리하는 산업별 CAE 흐름을 지향합니다.
- 01
장비 단위 정의
Chamber, Chuck, Heater, Stage와 체결·접촉 관계를 해석 목적에 맞게 구분합니다.
- 02
운전 조건 구성
진공 압력, 체결력, 발열, 냉각, 주변 온도와 지지 조건을 정의합니다.
- 03
다중 물리 해석
구조와 열해석을 수행하고 필요한 온도장을 구조 모델에 연결합니다.
- 04
정밀도 평가
변형과 온도 균일도를 공정 기준, 조립 공차와 측정 위치에 맞춰 검토합니다.
APPLICATIONS
적용 대상
- Process Chamber
- Electrostatic·Vacuum Chuck
- Heater Assembly
- Wafer Stage·Transfer Module
FAQ
자주 묻는 질문
반도체 장비 해석에서 구조와 열을 함께 보는 이유는 무엇인가요?
장비의 정적 강성이 충분해도 불균일한 온도 분포가 미세 변형과 정렬 오차를 만들 수 있기 때문입니다. 공정 정밀도 관점에서는 두 결과를 연결해서 봐야 합니다.
해석 결과는 어떤 기준과 비교해야 하나요?
허용응력뿐 아니라 Wafer 면의 평탄도, 관심 지점의 상대 변위, 온도 균일도와 조립 공차처럼 실제 장비 성능과 연결된 기준이 필요합니다.
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